DLN10C-BT中文资料参数规格
技术参数
正向电压 980mV @1A
反向恢复时间 35 ns
正向电压Max 980mV @1A
正向电流Max 1 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 R-1
外形尺寸
封装 R-1
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DLN10C-BT引脚图与封装图
暂无图片
替代型号DLN10C-BT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DLN10C-BT 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： R-1 | 当前型号 | DIODE FAST REC 200V 1A | 当前型号 |
| 型号： DLN10C-AT1 品牌： 安森美 封装： R-1 | 完全替代 | DIODE FAST REC 200V 1A | DLN10C-BT和DLN10C-AT1的区别 |
| 型号： DLM10C-AT1 品牌： 安森美 封装： DO-204 | 功能相似 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | DLN10C-BT和DLM10C-AT1的区别 |