DS10BR254TSQX/NOPB
TI(德州仪器)
电子元器件分类
DS10BR254TSQX/NOPB中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V
供电电流 113 mA
耗散功率 4650 mW
功耗 396 W
输入电容 1.7 pF
输入电流Min 10 μA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 4650 mW
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 40
封装 WQFN-40
外形尺寸
封装 WQFN-40
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 LVDS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 5A991.b.1
DS10BR254TSQX/NOPB引脚图与封装图 
DS10BR254TSQX/NOPB引脚图
DS10BR254TSQX/NOPB封装焊盘图
在线购买DS10BR254TSQX/NOPB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS10BR254TSQX/NOPB | TI 德州仪器 | 1.5 Gbps 1:4 LVDS 中继器 40-WQFN -40 to 85 | 搜索库存 |
替代型号DS10BR254TSQX/NOPB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS10BR254TSQX/NOPB 品牌： TI 德州仪器 封装： WQFN-40 40Pin 3.3V | 当前型号 | 1.5 Gbps 1:4 LVDS 中继器 40-WQFN -40 to 85 | 当前型号 |
| 型号： DS10BR254TSQ/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS DS10BR254TSQ/NOPB 芯片, 中继器 LVDS | DS10BR254TSQX/NOPB和DS10BR254TSQ/NOPB的区别 |