DTA114YET1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
DTA114YET1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA114YET1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114YET1 | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号DTA114YET1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114YET1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 -50V -100mA 300mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： DTA114YET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 PNP -50V -100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR DTA114YET1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新 | DTA114YET1和DTA114YET1G的区别 |