DAP222中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 100 mA
电容 3.50 pF
正向电压 1.2V @100mA
耗散功率 0.15 W
反向恢复时间 10 ns
最大反向电压（Vrrm） 80V
正向电流 0.1 A
最大反向漏电流（Ir） 0.1uA
正向电压Max 1.2V @100mA
正向电流Max 0.1 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
DAP222引脚图与封装图
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在线购买DAP222
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DAP222 | ON Semiconductor 安森美 | 共阳极硅双开关二极管 Common Anode Silicon Dual Switching Diodes | 搜索库存 |
替代型号DAP222
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DAP222 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 80V 100mA | 当前型号 | 共阳极硅双开关二极管 Common Anode Silicon Dual Switching Diodes | 当前型号 |
| 型号： DAP222G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 80V 100A | 类似代替 | ON Semiconductor### 标准带 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor | DAP222和DAP222G的区别 |
| 型号： DAP222TL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMD3 80V 100mA 3Pin | 功能相似 | 80V,0.1A开关二极管 | DAP222和DAP222TL的区别 |