DSI30-12AS
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IXYS Semiconductor
分立器件
DSI30-12AS中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.29 V
耗散功率 160 W
正向电流 30 A
正向电压Max 1.29V @30A
正向电流Max 30 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DSI30-12AS引脚图与封装图
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在线购买DSI30-12AS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DSI30-12AS | IXYS Semiconductor | 整流器 DIODE SGL 1200V 30A TO-263AA | 搜索库存 |
替代型号DSI30-12AS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DSI30-12AS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA | 当前型号 | 整流器 DIODE SGL 1200V 30A TO-263AA | 当前型号 |
| 型号： DSI30-12AS-TUB 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 类似代替 | Diode Gen Purp 1.2kV 30A To263 | DSI30-12AS和DSI30-12AS-TUB的区别 |
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