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DSI30-12AS、NTE5888、DSI30-12AS-TUB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSI30-12AS NTE5888 DSI30-12AS-TUB

描述 整流器 DIODE SGL 1200V 30A TO-263AADiode 1.2kV 30A 2Pin DO-4Diode Gen Purp 1.2kV 30A To263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor NTE Electronics IXYS Semiconductor

分类 TVS二极管分立器件TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 - TO-263-3

正向电压 1.29 V - 1.29V @30A

耗散功率 160 W - -

正向电流 30 A - -

正向电压(Max) 1.29V @30A - 1.29V @30A

正向电流(Max) 30 A - 30 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 160000 mW

长度 10.41 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 - TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

工作温度 - -40℃ ~ 175℃ -

HTS代码 - 85411000800 -