D45VH10G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -15.0 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 83 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 62.5℃/W RθJC
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 1V
额定功率Max 83 W
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
D45VH10G引脚图与封装图 
D45VH10G引脚图
D45VH10G封装焊盘图
在线购买D45VH10G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| D45VH10G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 | 搜索库存 |
替代型号D45VH10G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： D45VH10G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 PNP -80V -15A 83W | 当前型号 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 | 当前型号 |
| 型号： D45VH10 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 Dual P-Channel -80V -15A 83W | 类似代替 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | D45VH10G和D45VH10的区别 |
| 型号： D45H11 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO220 PNP 0.06W | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR D45H11 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 60 W, -10 A, 60 hFE | D45VH10G和D45H11的区别 |
| 型号： BD244BTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 PNP -80V -6A 65000mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 80V 6A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | D45VH10G和BD244BTU的区别 |