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DTA113EET1G

DTA113EET1G

数据手册.pdf

SOT-416 PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75


立创商城:
DTA113EET1G


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  DTA113EET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 Ratio, SC-75


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75


DTA113EET1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 3 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTA113EET1G引脚图与封装图
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