额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA123JM3T5G | ON Semiconductor 安森美 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA123JM3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 当前型号 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 当前型号 |
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| 型号： DTA123JET1 品牌： 安森美 封装： SOT-523/SC-75 PNP -50V -100mA | 功能相似 | DTA123JET1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记6M 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | DTA123JM3T5G和DTA123JET1的区别 |
| 型号： BC818-16 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3Pin SOT-23 | DTA123JM3T5G和BC818-16的区别 |
