DTA143TM3T5G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTA143TM3T5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA143TM3T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA143TM3T5G | ON Semiconductor 安森美 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 搜索库存 |
替代型号DTA143TM3T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA143TM3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 当前型号 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 当前型号 |
| 型号： DTA143TMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT-3 PNP -50V -100mA 0.15W | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA | DTA143TM3T5G和DTA143TMT2L的区别 |
| 型号： UNR31A6G0L 品牌： 松下 封装： SOT-723 PNP | 功能相似 | SSSMini3-F1 PNP 50V 100mA | DTA143TM3T5G和UNR31A6G0L的区别 |
| 型号： PDTA143EEF,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89 PNP | 功能相似 | SC-89 PNP 50V 100mA | DTA143TM3T5G和PDTA143EEF,115的区别 |