DTA123EM3T5G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 260 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTA123EM3T5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA123EM3T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA123EM3T5G | ON Semiconductor 安森美 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 搜索库存 |
替代型号DTA123EM3T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA123EM3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 当前型号 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 当前型号 |
| 型号： MMUN2135LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 400mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR | DTA123EM3T5G和MMUN2135LT1G的区别 |
| 型号： 2PD601AQW,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 NPN | 功能相似 | UMT NPN 50V 0.1A | DTA123EM3T5G和2PD601AQW,115的区别 |
| 型号： BCR141S 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface, driver circuit | DTA123EM3T5G和BCR141S的区别 |