DTA124XM3T5G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 260 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTA124XM3T5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA124XM3T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA124XM3T5G | ON Semiconductor 安森美 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 搜索库存 |
替代型号DTA124XM3T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA124XM3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 当前型号 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 当前型号 |
| 型号： DTA124EUAFRAT106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 PNP | 类似代替 | ROHM DTA124EUAFRAT106 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | DTA124XM3T5G和DTA124EUAFRAT106的区别 |
| 型号： DTA124EKAT146 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-59 PNP -50V -30mA 200mW | 功能相似 | ROHM DTA124EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE | DTA124XM3T5G和DTA124EKAT146的区别 |
| 型号： DTA124EUAT106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 PNP -50V -30mA 0.2W | 功能相似 | PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管 | DTA124XM3T5G和DTA124EUAT106的区别 |