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DTA114TET1G

DTA114TET1G

数据手册.pdf

ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Feature •Digital transistors built-in resistor •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特点 •数字(内置电阻) •内置启用偏置电阻器的配置,逆变电路没有连接外部输入电阻(见等效电路)。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许正面偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易

DTA114TET1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.65 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTA114TET1G引脚图与封装图
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在线购买DTA114TET1G
型号 制造商 描述 购买
DTA114TET1G ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 搜索库存
替代型号DTA114TET1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTA114TET1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-75 PNP -50V -100mA 300mW

当前型号

ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

当前型号

型号: DTA114TET1

品牌: 安森美

封装: SOT-416 -50V -100mA

类似代替

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

DTA114TET1G和DTA114TET1的区别

型号: DTA114TXV3T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-89 PNP -50V -100mA 300mW

类似代替

SC-89 PNP 50V 100mA

DTA114TET1G和DTA114TXV3T1G的区别

型号: DTA114T

品牌: 摩托罗拉

封装:

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 1-Element, PNP, Silicon

DTA114TET1G和DTA114T的区别