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DTC123TET1G

DTC123TET1G

数据手册.pdf

SOT-416 NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75


立创商城:
DTC123TET1G


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R


DTC123TET1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTC123TET1G引脚图与封装图
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在线购买DTC123TET1G
型号 制造商 描述 购买
DTC123TET1G ON Semiconductor 安森美 SOT-416 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号DTC123TET1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC123TET1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-75-3 NPN 300mW

当前型号

SOT-416 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DDTC123TE-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA

功能相似

1个NPN-预偏置 100mA 50V

DTC123TET1G和DDTC123TE-7的区别