DTA144EET1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTA144EET1G引脚图与封装图
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在线购买DTA144EET1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA144EET1G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号DTA144EET1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA144EET1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 当前型号 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： DTA144EET1 品牌： 安森美 封装： SC-75 P-Channel -50V -100mA 300mW | 类似代替 | DTA144EET1 带阻尼PNP三极管 -50V -30mA 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记6C 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | DTA144EET1G和DTA144EET1的区别 |
| 型号： PDTA144TE,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 功能相似 | NXP PDTA144TE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 47 kohm, SOT-416 | DTA144EET1G和PDTA144TE,115的区别 |
| 型号： PDTA144EE,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 功能相似 | NXP PDTA144EE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 80 hFE | DTA144EET1G和PDTA144EE,115的区别 |