
供电电流 150 mA
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
封装 BGA-256
封装 BGA-256
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

DS3112N+引脚图

DS3112N+封装图

DS3112N+封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS3112N+ | Maxim Integrated 美信 | Framer E13/E3/G.747/M13/T3 3.3V 256Pin BGA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS3112N+ 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: BGA-256 | 当前型号 | Framer E13/E3/G.747/M13/T3 3.3V 256Pin BGA | 当前型号 | |
型号: DS3112N 品牌: 美信 封装: 256-BGA | 完全替代 | 电信接口IC TEMPE T3/E3 MUX FRMR & M13/E13/G.747 MUX | DS3112N+和DS3112N的区别 | |
型号: DS21455 品牌: 美信 封装: BGA | 完全替代 | Framer E1/J1/T1 3.3V 256Pin BGA | DS3112N+和DS21455的区别 | |
型号: DS34T104GN 品牌: 美信 封装: | 类似代替 | 单/双/四/八通道的TDM-over -Packet时芯片 Single/Dual/Quad/Octal TDM-Over-Packet Chip | DS3112N+和DS34T104GN的区别 |