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DRV5013BCQDBZT

DRV5013BCQDBZT

TI(德州仪器) 工业控制

霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments

霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments

集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。

### 霍尔效应传感器,Texas Instruments


得捷:
MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3


立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器


德州仪器TI:
High voltage up to 38-V, high bandwidth 30-kHz Hall effect latch


欧时:
Texas Instruments DRV5013BCQDBZT 霍尔效应传感器, 双极磁场, 18 mT, 2.5 → 38 V电源, 3引脚


艾睿:
Hall Effect Sensor Bipolar Latch 3.3V/5V/9V/12V/15V/18V/24V 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Hall Effect Sensor 30mA Bipolar 2.5V to 38V 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Hall Effect Sensor Bipolar Latch 3.3V/5V/9V/12V/15V/18V/24V 3-Pin SOT-23 T/R


DRV5013BCQDBZT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 30 mA

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 38V

电源电压Max 38 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DRV5013BCQDBZT引脚图与封装图
DRV5013BCQDBZT引脚图

DRV5013BCQDBZT引脚图

DRV5013BCQDBZT封装图

DRV5013BCQDBZT封装图

DRV5013BCQDBZT封装焊盘图

DRV5013BCQDBZT封装焊盘图

在线购买DRV5013BCQDBZT
型号 制造商 描述 购买
DRV5013BCQDBZT TI 德州仪器 霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments 集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。 ### 霍尔效应传感器,Texas Instruments 搜索库存
替代型号DRV5013BCQDBZT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DRV5013BCQDBZT

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments

当前型号

型号: DRV5013BCQDBZR

品牌: 德州仪器

封装: SOT-23 2.5V 3Pin

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013BCQDBZR  芯片, 霍尔效应传感器, 锁定式, SOT-23-3

DRV5013BCQDBZT和DRV5013BCQDBZR的区别