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DRV5013ADQDBZR

DRV5013ADQDBZR

TI(德州仪器) 工业控制

TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZR  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V

数字开关 卡销 开路漏极 霍尔效应 SOT-23-3


得捷:
MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3


立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器


德州仪器TI:
High voltage up to 38-V, high bandwidth 30-kHz Hall effect latch


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板机接口霍耳效应/磁性传感器 2.5-38V Dig Latch Hall Sensor


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Hall Effect Sensor Bipolar Latch 3.3V/5V/9V/12V/15V/18V/24V 3-Pin SOT-23 T/R


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# TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZR  Hall Effect Sensor, Latching, 30 mA, SOT-23, 3 Pins, 2.5 V, 38 V


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MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3


DeviceMart:
IC DIG LATCH HALL SENS SOT233


DRV5013ADQDBZR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50V min

输出电压 38 V

输出电流 30 mA

针脚数 3

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 38V

电源电压Max 38 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 测试与测量, 传感与仪器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

DRV5013ADQDBZR引脚图与封装图
DRV5013ADQDBZR引脚图

DRV5013ADQDBZR引脚图

DRV5013ADQDBZR封装图

DRV5013ADQDBZR封装图

DRV5013ADQDBZR封装焊盘图

DRV5013ADQDBZR封装焊盘图

在线购买DRV5013ADQDBZR
型号 制造商 描述 购买
DRV5013ADQDBZR TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZR  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V 搜索库存
替代型号DRV5013ADQDBZR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DRV5013ADQDBZR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOT-23 2.5V 3Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZR  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V

当前型号

型号: DRV5013ADQDBZT

品牌: 德州仪器

封装:

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZT  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V

DRV5013ADQDBZR和DRV5013ADQDBZT的区别