DTC114YET1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC114YET1G引脚图与封装图 
DTC114YET1G引脚图
DTC114YET1G封装图
DTC114YET1G封装焊盘图
在线购买DTC114YET1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC114YET1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号DTC114YET1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC114YET1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW | 当前型号 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： SDTC114YET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 NPN 300mW | 完全替代 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k | DTC114YET1G和SDTC114YET1G的区别 |
| 型号： DTC114YET1 品牌： 安森美 封装： SOT-416 NPN 50V 100mA | 类似代替 | DTC114YET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k sot-523 marking/标记 BD | DTC114YET1G和DTC114YET1的区别 |
| 型号： DTC114YETL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 NPN 50V 70mA 0.15W | 功能相似 | ROHM DTC114YETL 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416 | DTC114YET1G和DTC114YETL的区别 |