DTC115EET1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC115EET1G引脚图与封装图
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在线购买DTC115EET1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC115EET1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号DTC115EET1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC115EET1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW | 当前型号 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： DTC115EET1 品牌： 安森美 封装： SOT-416 NPN 50V 100mA | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | DTC115EET1G和DTC115EET1的区别 |
| 型号： DTC115EETL 品牌： 罗姆半导体 封装： EM-3 NPN 50V 20mA 0.15W | 功能相似 | NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | DTC115EET1G和DTC115EETL的区别 |
| 型号： DDTC115TE-7 品牌： 美台 封装： SOT-523 NPN 50V 100mA | 功能相似 | TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523 | DTC115EET1G和DDTC115TE-7的区别 |