CSD17318Q2

TI(德州仪器) 电子元器件分类

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、16.9mΩ 6-WSON -55 to 150

表面贴装型 N 通道 25A（Tc） 16W（Tc） 6-WSON（2x2）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON

立创商城:
CSD17318Q2

德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R

CSD17318Q2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5 W

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 676pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SON

外形尺寸

封装 SON

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD17318Q2引脚图与封装图

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CSD17318Q2	TI 德州仪器	30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、16.9mΩ 6-WSON -55 to 150	搜索库存