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CSD17318Q2T

CSD17318Q2T

TI(德州仪器) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.0126 ohm, 8 V, 900 mV

N-Channel 30V 25A Tc 16W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON


立创商城:
CSD17318Q2T


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
N-Channel NexFET Power MOSFET 30V 12.6mOhm 6-Pin WSON T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R


CSD17318Q2T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0126 Ω

耗散功率 2.5 W

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 676pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-6

外形尺寸

封装 WSON-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CSD17318Q2T引脚图与封装图
CSD17318Q2T引脚图

CSD17318Q2T引脚图

CSD17318Q2T封装图

CSD17318Q2T封装图

CSD17318Q2T封装焊盘图

CSD17318Q2T封装焊盘图

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CSD17318Q2T TI 德州仪器 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.0126 ohm, 8 V, 900 mV 搜索库存