耗散功率 250 W
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 8870pF @20VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
高度 19.7 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
CSD18510KTT引脚图
CSD18510KTT封装图
CSD18510KTT封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18510KTT | TI 德州仪器 | CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18510KTT 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-263 | 当前型号 | CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD18511Q5A 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD18510KTT和CSD18511Q5A的区别 |
| 型号： CSD18512Q5B 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET | CSD18510KTT和CSD18512Q5B的区别 |
| 型号： CSD18513Q5A 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD18510KTT和CSD18513Q5A的区别 |
