CSD17585F5
TI(德州仪器)
分立器件
CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET
这种 30V、22mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
RθJA = 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。RθJA = 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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- 低导通电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 超小尺寸
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- 1.53mm x 0.77mm
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- 薄型
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- 高度为 0.35mm
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- 集成静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 4kV 人体模型 HBM
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- 额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了 优化
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- 针对通用开关应用进行了 优化
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