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CSD18514Q5AT

CSD18514Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 89 A, 0.0041 ohm, VSON, 表面安装

N-Channel 40V 89A Tc 74W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON


立创商城:
CSD18514Q5AT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.9 mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 89 A, 0.0041 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON / N-Channel 40 V 89A Tc 74W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


CSD18514Q5AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 2683pF @20VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18514Q5AT引脚图与封装图
CSD18514Q5AT引脚图

CSD18514Q5AT引脚图

CSD18514Q5AT封装图

CSD18514Q5AT封装图

CSD18514Q5AT封装焊盘图

CSD18514Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD18514Q5AT
型号 制造商 描述 购买
CSD18514Q5AT TI 德州仪器 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 89 A, 0.0041 ohm, VSON, 表面安装 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18514Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: N-Channel

当前型号

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 89 A, 0.0041 ohm, VSON, 表面安装

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型号: CSD18514Q5A

品牌: 德州仪器

封装:

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