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CSD17581Q3AT

CSD17581Q3AT

TI(德州仪器) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V

表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON


立创商城:
CSD17581Q3AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.7 mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
30V N CH MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8 3,3x3,3mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD17581Q3AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.8 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 3640pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD17581Q3AT引脚图与封装图
CSD17581Q3AT引脚图

CSD17581Q3AT引脚图

CSD17581Q3AT封装图

CSD17581Q3AT封装图

CSD17581Q3AT封装焊盘图

CSD17581Q3AT封装焊盘图

在线购买CSD17581Q3AT
型号 制造商 描述 购买
CSD17581Q3AT TI 德州仪器 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V 搜索库存
替代型号CSD17581Q3AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17581Q3AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP N-CH 30V 60A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V

当前型号

型号: CSD17581Q3A

品牌: 德州仪器

封装: VSONP-8 N-CH 30V 60A

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