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CSD18502Q5BT

CSD18502Q5BT

TI(德州仪器) 分立器件

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 100A(Ta) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD18502Q5BT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD18502Q5BT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 3900pF @20VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-CLIP

外形尺寸

封装 VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18502Q5BT引脚图与封装图
CSD18502Q5BT引脚图

CSD18502Q5BT引脚图

CSD18502Q5BT封装图

CSD18502Q5BT封装图

CSD18502Q5BT封装焊盘图

CSD18502Q5BT封装焊盘图

在线购买CSD18502Q5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD18502Q5BT TI 德州仪器 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD18502Q5BT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18502Q5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: SMALL N-CH 40V 26A

当前型号

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

当前型号

型号: CSD18502Q5B

品牌: 德州仪器

封装: smd N-Channel 40V 26A

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