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CSD19505KTTT

CSD19505KTTT

TI(德州仪器) 分立器件

80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

N-Channel 80V 200A Ta 300W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3


得捷:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3


立创商城:
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德州仪器TI:
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 3.1 mOhm


贸泽:
MOSFET 80 V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


CSD19505KTTT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 7920pF @40VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD19505KTTT引脚图与封装图
CSD19505KTTT引脚图

CSD19505KTTT引脚图

CSD19505KTTT封装图

CSD19505KTTT封装图

CSD19505KTTT封装焊盘图

CSD19505KTTT封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
CSD19505KTTT TI 德州仪器 80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 搜索库存
替代型号CSD19505KTTT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CSD19505KTTT

品牌： TI 德州仪器

封装： TO-263 N-CH 80V 200A

当前型号

80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

当前型号

型号： CSD19505KTT

品牌： 德州仪器

封装： TO-263 N-Channel 80V 200A

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