极性 P-CH
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 119pF @10VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD25480F3 | TI 德州仪器 | SLPS579 可用文献编号 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD25480F3 品牌： TI 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 20V 1.7A | 当前型号 | SLPS579 可用文献编号 | 当前型号 |
| 型号： CSD25481F4 品牌： 德州仪器 封装： PicoStar-3 P-CH 20V 2.5A | 类似代替 | P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4 | CSD25480F3和CSD25481F4的区别 |
| 型号： CSD23382F4 品牌： 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 12V 3.5A | 类似代替 | -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0 | CSD25480F3和CSD23382F4的区别 |
| 型号： CSD23381F4 品牌： 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 12V 2.3A | 类似代替 | P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments | CSD25480F3和CSD23381F4的区别 |
