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CSD13385F5T

CSD13385F5T

TI(德州仪器) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 800 mV

N-Channel 12V 4.3A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD13385F5T


德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R


CSD13385F5T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 674pF @6VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD13385F5T引脚图与封装图
CSD13385F5T引脚图

CSD13385F5T引脚图

CSD13385F5T封装图

CSD13385F5T封装图

CSD13385F5T封装焊盘图

CSD13385F5T封装焊盘图

在线购买CSD13385F5T
型号 制造商 描述 购买
CSD13385F5T TI 德州仪器 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 800 mV 搜索库存
替代型号CSD13385F5T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CSD13385F5T

品牌： TI 德州仪器

封装： N-Channel

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 800 mV

当前型号

型号： CSD13385F5

品牌： 德州仪器

封装：

完全替代

12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、19mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD13385F5T和CSD13385F5的区别