CSD15380F3
TI(德州仪器)
分立器件
20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、1460mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中,较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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- 超低 CiSS 和 COSS
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 超小尺寸
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- 0.73mm x 0.64mm
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- 超薄
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- 最大高度为 0.35mm
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- 集成型静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 4kV 人体模型 HBM
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- 额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了 优化
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- 针对通用开关应用进行了 优化
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- 电池 应用
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- 手持式和移动类 应用
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