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CSD23285F5T

CSD23285F5T

TI(德州仪器) 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV

P-Channel 12V 5.4A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD23285F5T


德州仪器TI:
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.4A 3-Pin PicoStar T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 3.3A 3-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.4A 3-Pin PicoStar T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD23285F5T  MOSFET, P-CH, -12V, -5.4A, PICOSTAR New


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR / P-Channel 12 V 5.4A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR


CSD23285F5T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 628pF @6VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.53 mm

宽度 0.77 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD23285F5T引脚图与封装图
CSD23285F5T引脚图

CSD23285F5T引脚图

CSD23285F5T封装图

CSD23285F5T封装图

CSD23285F5T封装焊盘图

CSD23285F5T封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
CSD23285F5T TI 德州仪器 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV 搜索库存
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型号: CSD23285F5T

品牌: TI 德州仪器

封装: Picostar-3 P-Channel

当前型号

晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV

当前型号

型号: CSD23285F5

品牌: 德州仪器

封装: P-CH 12V 5.4A

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