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CL21B104KBANNNC

CL21B104KBANNNC

数据手册.pdf
Samsung 三星 被动器件

0805 0.1 uF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

CL21 Series 0.1 uF 50V ±10% Tolerance X7R SMT Multilayer Ceramic Capacitor


艾睿:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125°C T/R


富昌:
0805 0.1 uF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容


CL21B104KBANNNC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.65 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 0.65 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL21B104KBANNNC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CL21B104KBANNNC Samsung 三星 0805 0.1 uF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL21B104KBANNNC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL21B104KBANNNC

品牌: Samsung 三星

封装: 0805 100nF 50V ±10%

当前型号

0805 0.1 uF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

当前型号

型号: CL21B104KBFNNNE

品牌: 三星

封装: 0805 100nF 50V ±10%

完全替代

0805 0.1 uF ±10 % 容差 50 V X7R 多层陶瓷电容

CL21B104KBANNNC和CL21B104KBFNNNE的区别

型号: CL21B104KBC5PNL

品牌: 三星

封装: 0805

完全替代

Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。

CL21B104KBANNNC和CL21B104KBC5PNL的区别

型号: CL21B104KBFNNNF

品牌: 三星

封装: 0805 100nF 50V ±10%

完全替代

0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% 容差 多层 陶瓷 贴片电容

CL21B104KBANNNC和CL21B104KBFNNNF的区别