CE3520K3-C1
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
主动器件
CE3520K3-C1中文资料参数规格
技术参数
频率 20 GHz
耗散功率 125 mW
输出功率 125 mW
增益 13.8 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 mW
额定电压 4 V
封装参数
引脚数 4
封装 Micro-X
外形尺寸
封装 Micro-X
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CE3520K3-C1引脚图与封装图
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在线购买CE3520K3-C1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CE3520K3-C1 | California Eastern Laboratories | RF Mosfet N-Channel 2V 10mA 20GHz 13.8dB 0.125W1/8W 4-Micro-X | 搜索库存 |
替代型号CE3520K3-C1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CE3520K3-C1 品牌： California Eastern Laboratories 封装： Cut 125mW | 当前型号 | RF Mosfet N-Channel 2V 10mA 20GHz 13.8dB 0.125W1/8W 4-Micro-X | 当前型号 |
| 型号： CE3520K3 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 125mW | 完全替代 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | CE3520K3-C1和CE3520K3的区别 |