CE3520K3、CE3520K3-C1对比区别

高亮显示差异参数

型号 CE3520K3 CE3520K3-C1

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CRF Mosfet N-Channel 2V 10mA 20GHz 13.8dB 0.125W(1/8W) 4-Micro-X

数据手册 --

制造商 California Eastern Laboratories California Eastern Laboratories

分类 JFET晶体管晶体管

引脚数 4 4

封装 Micro-4 Micro-X

频率 20 GHz 20 GHz

耗散功率 125 mW 125 mW

输出功率 125 mW 125 mW

增益 13.8 dB 13.8 dB

测试电流 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125 mW 125 mW

额定电压 4 V 4 V

封装 Micro-4 Micro-X

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99