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CSD25480F3T

CSD25480F3T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD25480F3T  晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新

表面贴装型 P 通道 1.7A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD25480F3T


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 159 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, 20 V, 1.7 A, 0.11 ohm, PICOSTAR, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R


安富利:
-20V P-Channel FemtoFET MOSFET


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
MOSFET, P-CH, -20V, -1.7A, PICOSTAR-3


CSD25480F3T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 155pF @10VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 0.73 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD25480F3T引脚图与封装图
CSD25480F3T引脚图

CSD25480F3T引脚图

CSD25480F3T封装图

CSD25480F3T封装图

CSD25480F3T封装焊盘图

CSD25480F3T封装焊盘图

在线购买CSD25480F3T
型号 制造商 描述 购买
CSD25480F3T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD25480F3T  晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新 搜索库存
替代型号CSD25480F3T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD25480F3T

品牌: TI 德州仪器

封装: PICOSTAR P-Channel 20V 1.7A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD25480F3T  晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新

当前型号

型号: CSD25480F3

品牌: 德州仪器

封装: PICOSTAR P-CH 20V 1.7A

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CSD25480F3T和CSD25480F3的区别