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CSD17308Q3T

CSD17308Q3T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17308Q3T  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0082 ohm, 8 V, 1.3 V 新

N-Channel 30V 14A Ta, 44A Tc 2.7W Ta, 28W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 3.3x3.3


欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD17308Q3T


得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON


立创商城:
N沟道 30V 14A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V, N ch NexFET MOSFETG , single SON3x3, 11.8mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 28W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
MOSFET, N-CH, 30V, 44A, VSON-8


CSD17308Q3T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0082 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 5.7 ns

输入电容Ciss 700pF @15VVds

下降时间 2.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta, 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD17308Q3T引脚图与封装图
CSD17308Q3T引脚图

CSD17308Q3T引脚图

CSD17308Q3T封装图

CSD17308Q3T封装图

CSD17308Q3T封装焊盘图

CSD17308Q3T封装焊盘图

在线购买CSD17308Q3T
型号 制造商 描述 购买
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