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CSD87335Q3DT

CSD87335Q3DT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD87335Q3DT  单晶体管 双极, 双N沟道, 30 V, 6.7 ohm, 4.5 V, 750 mV 新

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 25A 6W 表面贴装型 8-LSON(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 25A


立创商城:
2个N沟道 30V 25A


德州仪器TI:
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 25 A


e络盟:
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 30 V, 0.0067 ohm, 4.5 V, 750 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin LSON-CLIP EP T/R


安富利:
30V POWERBLOCK N CH MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; Half-Bridge Power Block; 30V


Verical:
High Frequency Synchronous Power Module


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD87335Q3DT  Bipolar BJT Single Transistor, Dual N Channel, 30 V, 0.0067 ohm, 4.5 V, 750 mV


CSD87335Q3DT中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 750 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 1050pF @15VVds

额定功率Max 6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LSON-CLIP-8

外形尺寸

宽度 3.3 mm

封装 LSON-CLIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD87335Q3DT引脚图与封装图
CSD87335Q3DT引脚图

CSD87335Q3DT引脚图

CSD87335Q3DT封装图

CSD87335Q3DT封装图

CSD87335Q3DT封装焊盘图

CSD87335Q3DT封装焊盘图

在线购买CSD87335Q3DT
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