CL21C4R7CBANNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21C4R7CBANNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
工作电压 50 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 pF
容差 ±0.25 pF
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.65 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 0.65 mm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±300 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CL21C4R7CBANNNC引脚图与封装图 
CL21C4R7CBANNNC引脚图
CL21C4R7CBANNNC封装图
CL21C4R7CBANNNC封装焊盘图
在线购买CL21C4R7CBANNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21C4R7CBANNNC | Samsung 三星 | CL21系列 0805 4.7 pF 50 V ±0.25 pF C0G SMD 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21C4R7CBANNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21C4R7CBANNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7pF 50V ±0.25pF | 当前型号 | CL21系列 0805 4.7 pF 50 V ±0.25 pF C0G SMD 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： GRM2165C1H4R7CD01J 品牌： 村田 封装： 4.7pF 50V C0G/NP0 | 类似代替 | Cap Ceramic 4.7pF 50V C0G 0.25pF SMD 0805 125℃ T/R | CL21C4R7CBANNNC和GRM2165C1H4R7CD01J的区别 |
| 型号： C0805C479C5GACTU 品牌： 基美 封装： 0805 4.7pF 50V | 功能相似 | KEMET C0805C479C5GACTU 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 pF, ± 0.25pF, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | CL21C4R7CBANNNC和C0805C479C5GACTU的区别 |
| 型号： GRM2165C1H4R7CD01D 品牌： 村田 封装： 0805 4.7pF 50V | 功能相似 | Cap Ceramic 4.7pF 50V C0G 0.25pF SMD 0805 125℃ Paper T/R | CL21C4R7CBANNNC和GRM2165C1H4R7CD01D的区别 |