C3M0065090J-TR
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Wolfspeed
晶体管
C3M0065090J-TR中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 113 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 660pF @600VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 113W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-8
外形尺寸
封装 TO-263-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
C3M0065090J-TR引脚图与封装图
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在线购买C3M0065090J-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C3M0065090J-TR | Wolfspeed | Power MOSFET, N Channel, 35A, 900V, 0.065Ω, 15V, 2.1V | 搜索库存 |
替代型号C3M0065090J-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C3M0065090J-TR 品牌： Wolfspeed 封装： N-Channel | 当前型号 | Power MOSFET, N Channel, 35A, 900V, 0.065Ω, 15V, 2.1V | 当前型号 |
| 型号： C3M0065090J 品牌： Wolfspeed 封装： D2PAK N-Channel 900V 35A | 类似代替 | Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed | C3M0065090J-TR和C3M0065090J的区别 |