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C3M0065090J、C3M0065090J-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C3M0065090J C3M0065090J-TR

描述 Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。• 增强模式 N 通道 SiC 技术 • 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V • 多个设备易于并行且易于驱动 • 高速切换,具有低接通电阻 • 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,WolfspeedPower MOSFET, N Channel, 35A, 900V, 0.065Ω, 15V, 2.1V

数据手册 --

制造商 Wolfspeed Wolfspeed

分类 MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 TO-263-8 TO-263-8

漏源极电阻 0.065 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 113 W 113 W

阈值电压 2.1 V 2.1 V

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

输入电容(Ciss) 660pF @600V(Vds) 660pF @600V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 113 W 113W (Tc)

额定功率 113 W -

针脚数 7 -

连续漏极电流(Ids) 35A -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-263-8 TO-263-8

长度 10.23 mm -

宽度 10.99 mm -

高度 4.57 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 -