CL21C221FBANNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21C221FBANNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 220 pF
容差 ±1 %
电介质特性 C0G/NP0
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.65 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21C221FBANNNC引脚图与封装图 
CL21C221FBANNNC引脚图
CL21C221FBANNNC封装图
CL21C221FBANNNC封装焊盘图
在线购买CL21C221FBANNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21C221FBANNNC | Samsung 三星 | CL21 系列 220 pF 50 V ±1 % 容差 C0G 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21C221FBANNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21C221FBANNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 220pF 50V ±1% | 当前型号 | CL21 系列 220 pF 50 V ±1 % 容差 C0G 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL21C221JBANNNC 品牌： 三星 封装： 0805 220pF 50V 5per | 类似代替 | 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21C221FBANNNC和CL21C221JBANNNC的区别 |
| 型号： ECJ-2VC1H221J 品牌： 松下 封装： 0805 220pF 50V ±5% | 功能相似 | 多层陶瓷电容（用于一般电子设备） Multilayer Ceramic Capacitors For General Electronic Equipment | CL21C221FBANNNC和ECJ-2VC1H221J的区别 |