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CL32C103FBFNNNE

CL32C103FBFNNNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1210 10nF ±1% 50V C0G

±1% 50V 陶瓷器 C0G,NP0 1210(3225 公制)


得捷:
CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210


艾睿:
Cap Ceramic 0.01uF 50V C0G 1% SMD 1210 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.01uF 50V C0G 1% SMD 1210 125°C Embossed T/R


TME:
Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; C0G; ±1%; SMD; 1210


Verical:
Cap Ceramic 0.01uF 50V C0G 1% Pad SMD 1210 125C T/R


儒卓力:
**KC 10nF 1210 1% 50V NP0 **


CL32C103FBFNNNE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

工作电压 50 V

电容 0.01 µF

容差 ±1 %

电介质特性 C0G/NP0

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.25 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL32C103FBFNNNE引脚图与封装图
CL32C103FBFNNNE引脚图

CL32C103FBFNNNE引脚图

CL32C103FBFNNNE封装图

CL32C103FBFNNNE封装图

CL32C103FBFNNNE封装焊盘图

CL32C103FBFNNNE封装焊盘图

在线购买CL32C103FBFNNNE
型号 制造商 描述 购买
CL32C103FBFNNNE Samsung 三星 1210 10nF ±1% 50V C0G 搜索库存
替代型号CL32C103FBFNNNE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL32C103FBFNNNE

品牌: Samsung 三星

封装: 1210 10nF 50V ±1%

当前型号

1210 10nF ±1% 50V C0G

当前型号

型号: CL32C103JBFNNNE

品牌: 三星

封装: 1210 10nF 50V ±5%

类似代替

Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列

CL32C103FBFNNNE和CL32C103JBFNNNE的区别

型号: CDR34BP103AFUS

品牌: 艾维克斯

封装: 1812 10nF ±1% 50V

类似代替

Cap Ceramic 0.01uF 50V C0G 1% SMD 1812 0.001%FR 125℃ Bulk

CL32C103FBFNNNE和CDR34BP103AFUS的区别