CL21A475KBQNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21A475KBQNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
工作电压 50 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X5R
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 X5R/-55℃~+85℃
工作温度 -55℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CL21A475KBQNNNE引脚图与封装图 
CL21A475KBQNNNE引脚图
CL21A475KBQNNNE封装图
CL21A475KBQNNNE封装焊盘图
在线购买CL21A475KBQNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21A475KBQNNNE | Samsung 三星 | CL 系列 0805 4.7 uF 50 V ±10 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21A475KBQNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21A475KBQNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7µF 50V ±10% | 当前型号 | CL 系列 0805 4.7 uF 50 V ±10 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： GRM21BR61H475KE51L 品牌： 村田 封装： 0805 4.7uF 50V 10per | 类似代替 | Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小，电容值大，采用多层结构 高可靠性，无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21A475KBQNNNE和GRM21BR61H475KE51L的区别 |
| 型号： CL21A475KBQNNNF 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF ±10% 50V X5R | 类似代替 | Cap Ceramic 4.7uF 50V X5R 10% Pad SMD 0805 85℃ T/R | CL21A475KBQNNNE和CL21A475KBQNNNF的区别 |
| 型号： CL21A475KAQNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7uF 25V 10per | 功能相似 | 0805 4.7 uF 25 V ±10 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL21A475KBQNNNE和CL21A475KAQNNNE的区别 |