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CSD75211W1723

CSD75211W1723

TI(德州仪器) 分立器件

双P通道NexFET™功率MOSFET Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 12-Pin Wafer T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 12-Pin Wafer T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD75211W1723  Dual MOSFET, Dual P Channel, -4.5 A, -20 V, 46 mohm, -4.5 V, -700 mV


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA


CSD75211W1723中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 1.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 UFBGA-12

外形尺寸

封装 UFBGA-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD75211W1723引脚图与封装图
CSD75211W1723引脚图

CSD75211W1723引脚图

CSD75211W1723封装图

CSD75211W1723封装图

CSD75211W1723封装焊盘图

CSD75211W1723封装焊盘图

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