CY7C1270V18-400BZXC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17

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CY7C1270V18-400BZXC

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IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

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静态随机存取存储器 36M QDR2+ B2 2.5

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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA

CY7C1270V18-400BZXC中文资料参数规格

技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

CY7C1270V18-400BZXC引脚图与封装图

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CY7C1270V18-400BZXC	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency	搜索库存