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CY7C1412AV18-200BZI

CY7C1412AV18-200BZI

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1412AV18-200BZI


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静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1412AV18-200BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

长度 17 mm

宽度 15 mm

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1412AV18-200BZI引脚图与封装图
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CY7C1412AV18-200BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存