CY7C2563KV18-500BZC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C2563KV18-500BZC中文资料参数规格
技术参数
位数 18
存取时间 1 ms
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C2563KV18-500BZC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CY7C2563KV18-500BZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C2563KV18-500BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C2563KV18-500BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C2563KV18-500BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 当前型号 | 72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C2563KV18-500BZXI 品牌： 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 功能相似 | 72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | CY7C2563KV18-500BZC和CY7C2563KV18-500BZXI的区别 |