CNY66B
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
上升/下降时间 2.4µs, 2.7µs
通道数 1
正向电压 1.25 V
耗散功率 250 mW
上升时间 2.4 µs
隔离电压 13900 VDC
正向电流 75 mA
输出电压Max 32 V
正向电压Max 1.6 V
正向电流Max 75 mA
下降时间 2.7 µs
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
高度 6.1 mm
封装 DIP-4
工作温度 -55℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free