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CY7C1415KV18-300BZXI

CY7C1415KV18-300BZXI

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


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CY7C1415KV18-300BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1415KV18-300BZXI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1415KV18-300BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存